El gigante surcoreano Samsung anuncia el primer eUSF 2.1 de 1TB de la empresa, el cual según diferentes sitios aseguran que estarán presentes en los nuevos buques insignia de la compañía, debido a que su producción en masa ya se está dando a cabo el primer afortunado sería nada más ni nada menos que el Galaxy S10+.
El nuevo Samsung eUFS 2.1 de 1TB tiene unas medidas de 11.5 x 13 mm, tiene una combinación de 16 capas de memoria flash V-NAND apiladas y un nuevo controlador. La firma priorizó muy aparte del alto almacenamiento del chip, las diferentes velocidades que debe de ofrecer, pues tiene una velocidad de lectura secuencial de hasta 1000 MB por segundo y una velocidad de escritura secuencial de 260 MB por segundo. En cuanto al registro tenemos un SATA SSD estándar de 2.5 pulgadas que alcanza cerca de 540 MB por segundo de velocidad de lectura, es decir un aumento de velocidad de lectura del 38% a comparación del chip de 512GB.
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A continuación una tabla con más detalles.
| Memoria | Velocidad de lectura secuencial | Velocidad de escritura secuencial | Velocidad de lectura aleatoria | Velocidad de escritura aleatoria |
| Samsung 1TB eUFS 2.1 (enero de 2019) |
1000 MB / s | 260 MB / s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| Samsung 512GB eUFS 2.1 (noviembre de 2017) |
860 MB / s | 255 MB / s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Samsung eUFS 2.1 para automoción (septiembre de 2017) |
850 MB / s | 150 MB / s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| Tarjeta UFS Samsung de 256 GB (julio de 2016) |
530 MB / s | 170 MB / s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| Samsung 256GB eUFS 2.0 (febrero de 2016) |
850 MB / s | 260 MB / s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Samsung 128GB eUFS 2.0 (enero de 2015) |
350 MB / s | 150 MB / s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250 MB / s | 125 MB / s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250 MB / s | 90 MB / s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140 MB / s | 50 MB / s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
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Fuente >> Samsung
